|
Архив публикацийТезисыXV-ая конференцияО морфологической устойчивости поверхности растущих кристаллов хлорида натрия167982 г.Сыктывкар, ул.Коммунистическая д.24 Отдел математики Коми НЦ УрО РАН 167982 г.Сыктывкар, улю.Первомайская, д. 54, Институт геологии Коми НЦ УрО РАН 1 стр.Кристаллы хлорида натрия благодаря простоте получения являются весбма удобным модельным объектом для изучения общих закономерностей процессов образования как неорганических, так и органических кристаллов. В данной работе рассматривается вопрос о морфологической устойчивости поверхности растущего кристалла. Кристалл получится однородным только в том случае, если его поверхностиь в каждый момент времени однородна. Случайно появившаяся на каком-либу участке поверхности неоднородность может сохраняться, затухать или усиливаться. Основные причины, приводящие к потере устойчивости – непостоянное поверхностное пересыщение и адсорбция примесей. О неравновесной адсорбции примесей можно судить, оценивая влияние расстояния между ступенями на их скорость. Было исследовано поведение поверхности кристаллов хлорида натрия в пересыщенном растворе с помощью методов АСМ (атомно-силовой микроскопии). Изучалась поверхность 2 растущих кристаллов хлорида натрия, полученных в одинаковых условиях, но в первом случае исследуемая грань была изначально обращена книзу , а во втором кверху. По эмпирическим распределениям скоростей и расстояний между ступенями были найдены средние значения тангенциальной скорости, расстояния, а также флуктуации этих параметров за каждый промежуток времени. Данные о скоростях ступеней (всего около 2000 значений для каждого эксперимента) осреднялись по расстоянию между степенями с шагом 50нм. Полученное среднее значение скорости приписывалось середине интервала осреднения. В первом эксперименте средние значения скорости находятся в пределах от 3 до 6 нм/с, во втором от 6 до 27нм. Для описания зависимости скорости ступеней от расстояния предлагается параболическая функция. Можно предположить, что указанная зависимость является универсальной и для других веществ.
|
